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【半導体】TSMCが先進技術ロードマップ 「A13」「A12」量産は2029年 「A16」は2027年に先送り
2026-04-24 11:54:14
ファウンドリ世界最大手の台湾TSMC(台積電)は2026年4月22日(米国時間)に開いた技術フォーラムで、2029年までのプロセス技術ロードマップを公開した。「A14」(1.4nm=ナノメートル=相当)の派生として「A13」(1.3nm)及び「A12」(1.2nm)を発表、いずれも2029年の量産化を予定するとした他、米アリゾナ州の先進封止(パッケージ)工場を2029年に稼働する計画を初めて公にした。


台湾の大手紙『経済日報』や中国の半導体メディア『芯智訊』等が24日付で報じた。それによると、TSMCは22日に米カリフォルニア州サンタクララで「TSMC North America Technology Symposium 2026」を開催。先進ロジック技術や、先進封止、CPO(Co-Packaged Optics)等、光通信の最新イノベーションの成果を発表、説明した。

魏哲家・董事長(会長)兼最高経営責任者(CEO)は、「顧客は常に将来のイノベーションを見据えている。当社は密度、性能、電力効率の面で業界をリードしており、今後も技術の最適化を進め、顧客の製品の成功を支える最も信頼できるパートナーであり続ける」と述べた。

最新プロセス技術の歩留まりについてTSMC(台積電)の張暁強・副総経理兼副共同最高執行責任者(COO。業務開発担当)は、「2025年には第2世代ナノシート技術に基づくA14プロセスを発表した。2028年の量産を計画している。2026年はその派生としてA13及びA12を発表し、いずれも2029年の量産を予定している」と言及。うち、A13はA14の光学シュリンク(微細化)版であり、設計・技術協調最適化(DTCO)により実現するものだとし、A14と完全互換の設計ルールと電気特性を維持しつつ、線寸法を約3%縮小、チップ面積を約6%削減し、トランジスタ密度を向上させていると説明した。

この他、TSMCは2nm「N2」シリーズの第3世代拡張版「N2U」プロセスを発表した。N2Uについて張副総経理は、DTCO技術を活用し、第2世代強化版「N2P」をベースにさらなる最適化を実現したもので、消費電力を維持した場合は性能が約3~4%向上、同一性能では電力を8~10%削減し、ロジック密度も約2~3%向上するとした。

「Super Power Rail(SPR)」によるBSPDN(裏面電源供給ネットワーク)技術を初採用し、2026年の量産化を予定している「A16」(1.6nm)プロセスについて張氏は、「技術自体は2026年に準備が整うが、顧客需要の変化に応じる形で、量産開始を当初の2026年から2027年へと延期することを決めた」と表明した。

この他張氏は、米アリゾナ拠点の拡張について、2029年までに先進封止技術「CoWoS」(Chip on Wafer on Substrate)や3Dパッケージ「SoIC」の量産能力を整備する計画だと述べた。さらに、第4工場(Fab21 P4)も建設を開始しており、第3工場(P3)と同様に2nm世代の先進プロセスを導入する予定で、A16や強化版A12を導入する可能性もあると述べた。

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